進入到2023年，業界持續關注以SiC(碳化硅)和GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體發展。不過，這兩類半導體應用的表現，仍然面臨著許多挑戰。
具體來看，雖然SiC已經在汽車上批量應用，但是受限于由于良率和性價比問題，對大部分汽車而言，SiC器件的成本依舊過高；GaN的商用集中在消費電子的快充領域，近幾年也拓展到了數據中心領域，只是其上車進程卻遲遲未見明顯收效。
截至目前，SiC和GaN的商業進程最新進展如何？在日前的“2023集邦咨詢第三代半導體前沿趨勢研討會”上，來自第三代半導體產業鏈上下游的從業者，解讀了SiC和GaN當前的最新現狀及前沿趨勢。
8英寸SiC正進入市場，目前市占率低于2%
根據TrendForce預測，SiC功率元件的市場規模將從2022年的16.09億美元，增長到2026年的53.28億美金，期間的年復合增長率高達35%。
集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕指出，SiC襯底在過去幾年中，一直處于供不應求的狀態，預測全球等效6英寸SiC的導電型碳化硅襯底材料生產，將會從2022年的107萬片成長到2026年的569萬片。
具體來看，6英寸仍是目前市場的主流供應，市場份額約占到80%，到2025年該數字將提升到90%。另外，8英寸碳化硅晶圓也正在進入市場，其市占率當前仍低于2%，預計到2026年，其份額將會達到15%。
如今，全球有超過15家廠商展示了8英寸碳化硅襯底樣品，其中以Wolfspeed和Vitesco為代表，其他參與8英寸晶圓設施的廠商，還包括ST、英飛凌、博世、onsemi、羅姆、三菱等國際廠商，以及天科合達、天岳先進、爍科晶體、同光半導體等國內廠商。
Wolfspeed在美國有一座8英寸晶圓廠，該公司還與Tier1采埃孚計劃在德國建立一座8英寸晶圓廠。
ST去年宣布計劃投資7.3億歐元在意大利建設8英寸的碳化硅設施；ST還于2023年6月宣布，與三安光電在重慶將設立一座8英寸碳化硅晶圓制造廠，三安光電將建造一個額外的8英寸碳化硅襯底設施來作為配套。
英飛凌在去年投資20億歐元，以擴展其馬來西亞居林工廠的寬禁帶半導體產能。
博世在今年收購了芯片生產商TSI半導體公司，后者在美國加州擁有一座8英寸的專用芯片晶圓廠，博世計劃未來會投資14億歐元，把這座晶圓廠改建成碳化硅產線。
